圧電MEMS超音波センサのための 単結晶PZT/Si/内空メンブレン構造の作製プロセスの開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 10P2-SS2-4

グループ名: 【E】第38回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2021/11/02

著者名: 関口 拓真（東北大学）, 吉田 慎哉（東北大学）, 金森 義明（東北大学）, 田中 秀治（東北大学）

キーワード: チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)|エピタキシャル成長|圧電微小超音波トランスデューサ|pMUT|シリコンオンナッシング(SON)

要約(日本語): 本稿では、シリコンオンナッシング(SON)プロセスを用いた高性能圧電微小超音波トランスデューサの作製法を検討した。水素アニールにより、Siトレンチ構造を流動させて面状構造を形成し,その上にバッファ層とチタン酸ジルコン酸鉛のスパッタ堆積を試みた。その結果,エピタキシャル成長させることに成功した。また、改良型SONプロセスを用いて、Si/内空構造の作製にも成功した。

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