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触覚ディスプレイ素子のための熱応答を向上したSMAアクチュエータと DRIEとめっきによるTSV基板の形成

触覚ディスプレイ素子のための熱応答を向上したSMAアクチュエータと DRIEとめっきによるTSV基板の形成

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 10P3-SSL-75

グループ名: 【E】第38回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2021/11/02

著者名: 齋藤 涼(山形大学), 天野 晏年(山形大学), 峯田 貴(山形大学)

キーワード: 触覚ディスプレイ|SMAアクチュエータ|基板貫通ビア|深堀エッチング|無電解めっき

要約(日本語): 触覚ディスプレイの熱応答向上のため、アクチュエータ長を短く膜厚を薄くして、熱的および力学的に最適設計したSMAアクチュエータを作製した。静特性として5 mNの発生力と60 μmの振幅が見込まれ、20-30Hzで駆動する目途を得た。またアレイ状のアクチュエータから基板裏面への導通用に、DRIE孔に無電解Niめっき膜を形成する基板貫通電極(TSV)構造の設計と作製を行った。表裏間の抵抗は数Ω程度で、高歩留まりの導通形成を可能にした。

PDFファイルサイズ: 356 Kバイト

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