抗体修飾SiC上グラフェンFETを用いたデバイ遮蔽長外の抗原検出

カテゴリ: 部門大会

論文No: 10P3-SSL-93

グループ名: 【E】第38回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2021/11/02

著者名: 山﨑 壮太（徳島大学）, 大野 恭秀（徳島大学）, 加治佐 平（徳島大学）, 永瀬 雅夫（徳島大学）

キーワード: グラフェン|電界効果トランジスタ|バイオセンサ|デバイ遮蔽長

要約(日本語): SiC基板上のエピタキシャルグラフェンFETを用いて、遮蔽効果のために本来不可能である抗原抗体反応の電気的検出を行った。実験結果は抗原濃度の増加に伴う伝達特性のシフトが観察された。これはグラフェンの非常に小さな状態密度を反映した小さなゲート静電容量により、実効的に長いデバイ遮蔽長が得られていると考えられる。以上よりエピタキシャルグラフェンFETは煩雑な工程なしに抗体を利用したバイオセンサの実現が可能である。

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