Ⅲ族窒化物半導体湾曲片持ち梁構造を利用した MEMS デバイスの構造解析

カテゴリ: 部門大会

論文No: 10P3-SSP-10

グループ名: 【E】第38回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2021/11/02

著者名: 宮崎 雄太郎（東京都立大学）, 松本 拓士（東京都立大学）, 中村 成志（東京都立大学）

キーワード: 窒化ガリウム|触覚センサ|湾曲片持ち梁|MEMS

要約(日本語): 本研究では、AlGaN/GaNヘテロ界面の2次元電子ガス密度が外部圧力により変化することを利用したセンサデバイスの構造を有限要素法を用いて解析した。_x000D_ その結果、保護樹脂及び電極の付加による2次元電子ガス密度への目立った影響はないということがわかった。_x000D_ この結果から、2次元電子ガス密度変化を利用した圧力センサデバイスは作製可能であるといえた。

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