活性Siナノ薄膜層によるニオブ酸リチウムとシリコンの常温接合

カテゴリ: 部門大会

論文No: 10P3-SSP-66

グループ名: 【E】第38回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2021/11/02

著者名: 渡辺 要（九州大学）, 多喜川 良（九州大学）

キーワード: 常温接合|表面活性化接合|ウェハレベル接合|ニオブ酸リチウム|異種材料集積

要約(日本語): LiNbO3とSiの融合構造は、デバイスの高集積・高機能化に向けて期待されている。本研究ではヘテロ集積デバイス実現に向けた活性Siナノ薄膜層を用いた常温接合法を提案している。引張試験を用いて従来手法との接合強度の比較を行った。従来手法では24.9 MPaで界面の剥離が、提案する手法では39.8 MPaで母材破壊が生じた。以上より本手法は、LiNbO3 とSiのヘテロ集積デバイス実現に向けた新しい常温接合技術として期待できると考えられる。

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