反応性スパッタリング法で成膜したSiN膜を用いたMEMSプロセスの検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 10P3-SSP-9

グループ名: 【E】第38回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2021/11/02

著者名: 坂本 海人（東京工業高等専門学校）, 佐藤 翔介（東京工業高等専門学校）, 伊藤 浩（東京工業高等専門学校）, 川又 由雄（東京工業高等専門学校）, 新國 広幸（東京工業高等専門学校）

キーワード: SiN膜|反応性スパッタリング法|MEMSプロセス|ダイヤフラム|圧力センサ

要約(日本語): 本研究では、反応性スパッタリングにより作製した SiN 膜の膜質向上と、BHF および KOH 溶液のエッチング特性を検討し、MEMS プロセスへの応用を検討した。これらの結果から、 スパッタされたSiN膜は、BHF溶液に比較的容易に溶解するため、通常のフォトレジス ト膜でパターン化でき、KOHエッチングに対する耐性が高く、ダイアフラムプロセスにお ける保護膜として有効であることがわかった。

PDFファイルサイズ: 1,871 Kバイト