圧電MEMSダイアフラム型超音波センサの薄膜残留応力を利用した高感度化座屈撓みとその解析

カテゴリ: 部門大会

論文No: 9A3-SS3-5

グループ名: 【E】第38回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2021/11/02

著者名: 西川 顕史（京都工芸繊維大学）, 吉田 琢真（京都工芸繊維大学）, 山下 馨（京都工芸繊維大学）, 清田 元一郎（京都工芸繊維大学）, 中島 将太（京都工芸繊維大学）

キーワード: 超音波センサ|ダイアフラム|圧電薄膜|座屈|残留応力

要約(日本語): 多層ダイアフラム構造の座屈挙動を圧電MEMS超音波センサの高感度化のためにエネルギ法により解析的に定式化し、センサ感度改善のための最適パラメータを見つけるために解析手法を使用した。この手法はさまざまなPZT応力を持つセンサの実験結果とよく一致したため、下部電極Pt層の応力を変化させ解析したところ、Pt応力を30%減らすことで座屈撓み量が1.4倍になり、標準構造よりも高い感度を示すことが示唆された。

PDFファイルサイズ: 1,079 Kバイト