可変成形ビーム/キャラクタープロジェクション電子線描画を用いた凹面構造によるナノギャップ形成

カテゴリ: 部門大会

論文No: 9P2-SS1-6

グループ名: 【E】第38回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2021/11/02

著者名: 肥後 昭男（東京大学）, 落合 幸徳（東京大学）, 三田 吉郎（東京大学）

キーワード: 電子線描画|可変成形ビーム法|キャラクタープロジェクション法|ナノギャップ|近接効果補正

要約(日本語): 半導体素子の超微細化、高密度化によるナノエレクトロニクスデバイスの著しい発展、さらに応用・展開としてトポロジカルフォトニクスなどが注目を浴びている。実用化するには超高速描画・超精細の周期ナノパターン形成が極めて重要である。10nm以下のナノギャップをポイントビーム法で形成する研究は多くあるが大面積描画は現実的ではない。凹型構造を用いてVSB/CP法を用いて10nm以下のナノギャップを実現したので報告する。

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