単結晶シリコン薄膜定常クリープ特性の結晶方位依存性

カテゴリ: 部門大会

論文No: 9P3-SS2-4

グループ名: 【E】第38回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2021/11/02

著者名: 尹 聖午（神戸大学）, 堀川 宇則（神戸大学）, 澤田 和磨（神戸大学）, 上杉 晃生（神戸大学）, 菅野 公二（神戸大学）, 磯野 吉正（神戸大学）

キーワード: 定常クリープ変形|パンチクリープ成型|ニュートン則|マイクロメータ厚さシリコン薄膜|高温

要約(日本語): 本研究では,パンチクリープ成形プロセスで形成される3次元微細構造Si-MEMSの設計のために,高温パンチクリープ成形試験とその有限要素解析(FEA)によって、厚さ5μmの単結晶Si膜の定常状態のクリープ変形特性を明らかにした。

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