コアシェル構造SiCナノワイヤの界面静電場によるピエゾ抵抗効果の制御

カテゴリ: 部門大会

論文No: 9P3-SS2-5

グループ名: 【E】第38回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2021/11/02

著者名: 上杉 晃生（神戸大学）, 仲田 進哉（神戸大学）, 菅野 公二（神戸大学）, 磯野 吉正（神戸大学）

キーワード: 3C-SiC|ナノワイヤ|ピエゾ抵抗効果|コアシェル構造|固定酸化物電荷

要約(日本語): 3C-SiCからなるコアシェル構造SiCナノワイヤのピエゾ抵抗効果に及ぼす界面静電場の影響を報告する.固定酸化物電荷の異なる酸化膜とアルミナ膜で2種類のコアシェル構造を形成し,FET型計測デバイスを用いて引張ひずみとゲート電圧を制御してその電気伝導性の評価を行った.シェルの固定酸化物電荷が電気伝導性に強く影響し,アルミナ膜シェルでは大きなゲージ率を持ち,また負のゲート電圧で増加することが示され,表面電位の変調が重要であることが示された.

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