MACE表面ナノホールのシリコンナノワイヤ垂直成長促進効果

カテゴリ: 部門大会

論文No: 9P3-SS2-6

グループ名: 【E】第38回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2021/11/02

著者名: 上杉 晃生（神戸大学）, 西依 脩佑（神戸大学）, 菅野 公二（神戸大学）, 磯野 吉正（神戸大学）

キーワード: シリコンナノワイヤ|ボトムアップ成長|VLS法|金属支援化学エッチング|ナノホール

要約(日本語): VLS法でのシリコンナノワイヤ(SiNWs)の成長方位に,MACE法で形成したナノホールが及ぼす影響を報告する.ボロン拡散で表層をP型にした(111)方位シリコン基板に,直径60nmの金ナノ粒子を触媒として,ナノホールの形成とSiNWsの成長を行った.ナノホール形成のエッチング時間が異なる場合のSiNWsの垂直成長性を評価し,既報のN型基板の場合と合わせた分析により,深さ約240～250nmのナノホールが垂直成長に適することを示した.

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