原子層堆積Al2O3誘電膜のエレクトレット化に関する研究

カテゴリ: 部門大会

論文No: 14P2-D-3

グループ名: 【E】第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2022/11/07

タイトル：原子層堆積Al₂O₃誘電膜のエレクトレット化に関する研究

タイトル(英語): Electretization of Atomic Layer Deposited Al2O3 Dielectric Films

著者名: 井口 慶人(神戸大学), 楢﨑 桃子(神戸大学), 上杉 晃生(神戸大学), 菅野 公二(神戸大学), 磯野 吉正(神戸大学)

著者名(英語): Yoshito Iguchi(Kobe University), Momoko Narasaki(Kobe University), Akio Uesugi(Kobe University), Koji Sugano(Kobe University), Yoshitada Isono(Kobe University)

キーワード: エレクトレット|Al2O3|原子層堆積法|電子照射|負の固定電荷|Electret|Al2O3|Atomic Layer Deposition|Electron irradiation|Negative fixed charge

要約(日本語): 原子層堆積(ALD)でのアルミナ成膜と,光電効果を利用した電子照射を組合わせたエレクトレット化アルミナ膜の形成を報告する。電子照射機構をALDチャンバ内に構築し,厚さ80nmのエレクトレット化アルミナ膜の負の固定電荷密度をQSCV法で評価した。光電陰極と試料台の間にかけるバイアス電圧が固定電荷密度の増加に影響することを示し,40Vを与えることで負の固定電荷密度を元のアルミナ膜の9.8倍の-320nC/cm2まで増大させることに成功した。

要約(英語): This paper describes electretization method of Al2O3 film deposited by ALD process. Electron irradiation caused by a photoelectric effect successfully brought increase in fixed charge density in Al2O3 films. It was found that the increase was affected by a bias voltage to a photoelectric cathode, and that the highest fixed charge density of -320 nC/cm2 was realized with a bias voltage of 40V.

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