単層フォトレジストによる 1 μm 線幅リフトオフプロセスの評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 14P2-D-5

グループ名: 【E】第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2022/11/07

タイトル(英語): Lift-off patterning of 1 μm line width using single layer photoresist

著者名: 佐々木 寛充(東北大学), 森山 雅昭(東北大学), 戸津 健太郎(東北大学)

著者名(英語): Hiromitsu Sasaki(Tohoku University), Masaaki Moriyama(Tohoku University), Kentaro Totsu(Tohoku University)

キーワード: リフトオフ|フォトリソグラフィ|単層リフトオフレジスト|アンダーカット|テーパー|lift-off|photolithography|single layer lift-off photoresist|undercut|taper

要約(日本語): 単層レジストによるリフトオフプロセスを評価した。リフトオフに適したテーパーやアンダーカット形状は、レジストの種類やフォトリソグラフィの条件を適切に設定することで得られた。さらに、EB蒸着で成膜する際のウェハ位置と角度を調節し、パターンに対して、粒子が垂直に到達するようにした。このような条件の下で、厚さ0.3μm のAl について、1μm 1:1ライン&スペースパターンを形成できた。

要約(英語): For the lift-off process, tapered or undercut structure of single layer photoresist was achieved by selecting appropriate photoresist and adjusting condition of photolithography. _x000D_ In order to make particles reach the substrate perpendicularly during deposition process in an EB evaporator, we changed the position of the substrate and its angle to the crucible. As the result, we successfully fabricated 1 μm 1:1 line and space, 0.3 μm-thick Al pattern using single layer photoresist.

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