シリコン貫通格子の細線化

カテゴリ: 部門大会

論文No: 14P4-D-3

グループ名: 【E】第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2022/11/07

タイトル(英語): Thinning of through-silicon lattice

著者名: 久野 友滉(豊田工業大学), 韓 剛(豊田工業大学), 佐々木 実(豊田工業大学)

著者名(英語): Tomoaki Kuno(Toyota Technological Institute), Gang Han(Toyota Technological Institute), Minoru Sasaki(Toyota Technological Institute)

キーワード: シリコン|貫通格子|ウェット酸化|気相フッ酸エッチング|細線化|Si|Through lattice|Wet-oxidation|Vaper HF etching|Thinning

要約(日本語): 難加工材の鋼に機能性表面を得る物理エッチング用に,ピッチ4μmのSi貫通格子ハードマスクを提案している。イオンの通過率を高めてエッチングレートを維持するには,貫通孔の比率を上げるべきである。本研究では,幅2μmの結晶Si貫通格子にウェット酸化と気相フッ酸エッチングを複数回施すことで,サブミクロン幅の細線化Si格子を実現した。合わせて,酸化で格子ピッチは伸びず,格子幅のみが膨張することが分かった。

要約(英語): A fine pitch Si through-hole lattice is proposed as the hard mask of the dry physical etching of steels. For increasing the through-hole ratio, a 2um-width Si through-hole lattice is wet-oxidized and the grown SiO2 is etched using vapor HF several times, and the sub-micrometer-width Si lattice is realized.

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