Te/Seの組成プロファイル制御によるTiO2/Seヘテロ接合光発電デバイスの高性能化
Te/Seの組成プロファイル制御によるTiO2/Seヘテロ接合光発電デバイスの高性能化
カテゴリ: 部門大会
論文No: 14P5-P-11
グループ名: 【E】第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
発行日: 2022/11/07
タイトル(英語): Investigation of Te/Se compositional grading for improving performance of TiO2/Se heterojunction photovoltaic device
著者名: 宮本 拓海(立命館大学), 小林 大造(立命館大学), 足立 悠輔(立命館大学)
著者名(英語): TAKUMI MIYAMOTO(Ritsumeikan University), TAIZO KOBAYASHI(Ritsumeikan University), YUSUKE ADACHI(University of Ritsumeikan)
キーワード: 結晶セレン薄膜|漏れ電流|テルル|ヘテロ接合光発電デバイス|酸化チタン|crystallized selenium thin film|leakage current|tellurium|heterojunction photovoltaic device|titanium oxide
要約(日本語): TiO2(n形)/Se(p形)光発電デバイスは照明光環境で高い光電変換効率が期待されている。結晶Seは密着性が低いためTe薄膜をTiO2/Se間に挿入することで密着性を確保している。一方、低抵抗なTeを過剰に添加するとpn接合における漏れ電流が増加し、変換効率が低下する。そこでTiO2近傍のTe濃度を低くするための薄いSeを、その後にTe/Seを成膜することで、pn接合近傍のTeの偏析の抑制と密着性の確保を両立し光電変換効率を改善した。
要約(英語): TiO2/Se heterojunction device is promising for indoor photovoltaic applications. Conventionally, very thin Te was inserted below Se layer to improve the adhesion of Se to TiO2 layer. The segregated Te between TiO2 and Se layers decreases photovoltaic conversion efficiency. We propose sequential deposition and thermal crystallization of Se/Te/Se layers to decrease Te segregation between TiO2 and Se layers.
PDFファイルサイズ: 433 Kバイト
受取状況を読み込めませんでした
