分布磁場印加による磁区転移を利用した高周波特性の制御に関する研究

カテゴリ: 部門大会

論文No: 14P5-P-20

グループ名: 【E】第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2022/11/07

タイトル(英語): Study on high frequency magnetic device based on magnetic domain transition

著者名: 中居 倫夫(宮城県産業技術総合センター)

著者名(英語): Tomoo Nakai(Industrial Technology Institute, Miyagi Prefectural Government)

キーワード: 磁区|磁化曲線|高周波透磁率|隣接配置素子|薄膜|magnetic domain|MH-loop|permeability|many-body elements|thin film

要約(日本語): 磁性体の磁区転移現象を利用した特性切替え型の高周波デバイスの検討を行っている。ここで使う物理現象は,幅数十マイクロメートルの磁性ストリップに方向制御した磁気異方性を誘導することで発現する磁区転移現象である。本報告では,この特異な磁区転移が発生する素子の現象を明らかにするために,これと近い作製条件の素子を作製して,磁区,磁化曲線,高周波透磁率の基礎特性を評価したのでそれを報告する。

要約(英語): This study deals a phenomenon of magnetic domain transition which occurs when a 70? inclined easy axis exists in an amorphous soft magnetic thin-film strip. It has a typical characteristic of the domain transition, and the transition can be controlled by a surface normal magnetic field. In this paper, we experimentally measured the near condition of this element comprehensively having a layout of line arrangement adjacent many body structure.

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