SMSウェハレベル真空封止技術のためのサブミクロンリリースホールを介したベーパーHF犠牲層エッチングの研究

カテゴリ: 部門大会

論文No: 14P5-P-4

グループ名: 【E】第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2022/11/07

タイトル(英語): The Study of Vapor HF Scarified SiO2 Layer Etching through Submicron Release Holes for Wafer-Level Vacuum Packaging Based on Silicon Migration Sealing

著者名: Gong Tianjiao(東北大学), 鈴木 裕輝夫(東北大学), 田中 秀治(東北大学)

著者名(英語): Tianjiao Gong(Tohoku University), Yukio Suzuki(Tohoku University), Shuji Tanaka(Tohoku University)

キーワード: 蒸気フッ酸エッチング|シリコンマイグレーションシール|スルーホールエッチング|真空ウェハレベルパッケ|MEMS|vapor HF etching|silicon migration sealing|through-hole etching|vacuum wafer-level packaging|micro-electromechanical system

要約(日本語): 蒸気 HF 犠牲 SiO2 エッチングは、シリコン マイグレーション シール技術に基づくウェーハ レベル パッケージングの重要なプロセスです。 この研究では、一連のテスト パターンと構造を使用して、リリース ホールを介した蒸気 HF エッチングの特性を調査しました。 この研究の結果は、SMS ベースの MEMS パッケージの重要な設計ガイドラインを提供します。

要約(英語): Vapor HF sacrificial etching is a crucial process for wafer-level packaging based on Silicon Migration Seal. In this study, the characteristics of vapor HF etching through release holes with a diameter of 0.5 μm and a depth of 10 μm were investigated by using a series of test patterns and structures. The results of this study provide important design guidelines for SMS-based MEMS packaging.

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