高アスペクト比構造への過酸化水素(H2O2 mix)を用いた製膜プロセス

カテゴリ: 部門大会

論文No: 14P5-P-8

グループ名: 【E】第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2022/11/07

タイトル(英語): Film formation process using hydrogen peroxide (H2O2 mix) for high aspect ratio structures

著者名: 幸田 祥人(大陽日酸), 村田 逸人(大陽日酸), 髙 洋志(大陽日酸), 亀岡 崇史(大陽日酸), Jeffrey Spiegelman(RASIRC)

著者名(英語): YASUHITO KODA(TAIYO NIPPON SANSO Corporation), HAYATO MURATA(TAIYO NIPPON SANSO Corporation), HIROSHI TAKA(TAIYO NIPPON SANSO Corporation), TAKASHI KAMEOKA(TAIYO NIPPON SANSO Corporation), Spiegelman Jeff(RASIRC Inc.), Jeffrey Spiegelman(RASIRC)

キーワード: 原子層堆積法 高アスペクト比構造|過酸化水素H2O2 水H2O オゾンO3|酸化膜 アルミナ Al2O3|製膜速度|絶縁破壊強度|Atomic Layer Deposition High Aspect Ratio|Peroxide Water Ozone|Oxide film Alumina|Growth Per Cycle|Dielectric breakdown strength

要約(日本語): MEMSの高機能化に伴い基板上に作製される配線等の微細化が進行し、高アスペクト比構造への均一な製膜が課題である。我々はH2O2/H2O混合蒸気を用いて原子層堆積法によりAl2O3膜を作製した。その結果、微細な構造を持つ評価サンプルにおいて、H2O2mixは失活することなくアスペクト比2,000相当の構造に均一な製膜ができた。他の酸化剤と比較してH2O2mixは製膜速度及び膜質も改善できるため、高機能化が進むMEMSへの適用が期待される。

要約(英語): This paper addresses the applicability of Atomic-Layer-Deposition (ALD) with the H2O2/H2O mixture vapor (H2O2 mix) on High-Aspect-Ratio (HAR) structures. As MEMS become more sophisticated, the wiring on the substrate becomes fine, and uniform deposition on HAR structures is a challenge. We have investigated the deposition conditions. As a result, uniform the films were formed up to the aspect ratio equivalent to 2,000.

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