Sc濃度40%ScAlN薄膜の低tanδ化

カテゴリ: 部門大会

論文No: 14P5-P-9

グループ名: 【E】第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2022/11/07

タイトル(英語): Highly scandium doped AlN with low dielectric loss tangent

著者名: 木嶋 健治(ミライズテクノロジーズ), 勅使河原 明彦(ミライズテクノロジーズ), 川合 祐輔(ミライズテクノロジーズ), 和戸 弘幸(ミライズテクノロジーズ)

著者名(英語): Kijima Kenji(MIRISE TECHNOLOGIES), Teshigahara Akijiko(MIRISE TECHNOLOGIES), Kawai Yusuke(MIRISE TECHNOLOGIES), Wado Hiroyuki(MIRISE TECHNOLOGIES)

キーワード: ScAlN|圧電膜|AlN|Sc|tanδ|Sc dope AlN|Piezoelectric thin film|AlN|Sc|tanδ

要約(日本語): 本研究の目的はScAlN薄膜を用いたMEMSセンサの高SNR化を狙い、圧電性が最大値に近いSc40%においてtanδ(誘電正接)を低下させ、tanδ増加の要因を明らかにすることである。tanδと相関がある不対電子対の減少を狙って薄膜をアニールし、その結果アニール前に0.46%であったtanδは0.085%に低下し、Sc含有率の高いScAlN薄膜のtanδを十分に低下できることを確認した。

要約(英語): The purpose of this study is to reduce dielectric tangent at ScAlN thin film (Sc40%) and to clarify the factor of dielectric tangent increase, aiming at high SNR of MEMS sensor using ScAlN thin film.

PDFファイルサイズ: 664 Kバイト