0.18μm多端子MOSFET型センサのプローブ位置と温度に対する磁界特性評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 15P2-P-20

グループ名: 【E】第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2022/11/07

タイトル(英語): An Evaluation of the Magnetic Field Characteristic for the Probe Position and Temperature using the Multi-Output MOSFET Sensor by 0.18um CMOS Process

著者名: 鈴木 慎弥(山形大学), 原田 知親(山形大学)

著者名(英語): Suzuki Shinya(Yamagata University), Harada Tomochika(Yamagata University)

キーワード: 多端子MOSFET|磁界センサ|ホール効果|磁界感度|温度変化|Multi-Output MOSFET|Magnetic field sensor|Hall effect|Magnetic field sensitivity|Temperature change

要約(日本語): 本研究では、センサの低コスト化や微細化が見込まれるMOSFET型センサの多端子MOSFETを用いて磁界検出動作評価を行った。ここで使用した素子は0.18μm CMOSプロセスにより試作された11端子MOSFETである。その結果、先行研究である8角形多端子MOSFETの磁界検出評価のように本素子においてもプローブ位置毎に異なる磁界感度を示した。また、温度変化による磁界特性変化の原因を明らかにすることができた。

要約(英語): In this paper, we evaluate the magnetic field detection operation using Multi-output MOSFET sensor. This proposed device has 11-output MOSFET by the 0.18 um CMOS process. As the experimental results, this device indicates magnetic field sensitivity depending on probe position as in previous research by using 0.18 um Octagonal-MOSFET. Also, we realize the cause of the change in magnetic field characteristics due to temperature change.

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