SnO2ガスセンサの低キャリア密度化および薄膜化による感度向上

カテゴリ: 部門大会

論文No: 15P2-P-28

グループ名: 【E】第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2022/11/07

タイトル(英語): Improvement of gas sensitivity by lowering carrier density and thinning film thickness of SnO2 gas sensor

著者名: 安藤 毅(千葉工業大学), 西科 直哉(東京電機大学)

著者名(英語): Ki Ando(Chiba Institute of Technology), Naoya Nishina(Tokyo Denki University)

キーワード: ガスセンサ|酸化錫|電子密度|膜厚|ガス感度|Gas sensor|Tin dioxide|Electron densities|Film thickness|Gas sensitivity

要約(日本語): 本研究では,近年の低濃度ガス測定の需要に向けて,半導体式ガスセンサのセンサ層を低電子密度化かつ薄膜化することで,高感度化を目指した。応答原理から予測された通り,低電子密度化,薄膜化によって感度の向上がみられた。特に,薄膜化による感度向上が大きいことが示されたため,今後は,より詳細にそれらの関係を検討し,最適なガスセンサに用いる酸化物半導体薄膜の成膜を行ってゆく予定である。

要約(英語): We investigated film thickness dependence of H2 gas sensitivity using tin dioxide(SnO2)films with similar electron densities deposited by RF magnetron sputtering. Our aim is to fabricate a gas sensor that can detect ppb-level gas concentrations in a simple device structure. The relationship between carrier density in the SnO2 films and the gas sensitivity was experimentally investigated.

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