AlInN層の選択エッチングによるⅢ族窒化物半導体MEMSデバイス作製の検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 16P2-P-14

グループ名: 【E】第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2022/11/07

タイトル(英語): Selective wet etching of AlInN for fabrication of Ⅲ-nitrides MEMS devices

著者名: 谷 一輝(東京都立大学), 中村 成志(東京都立大学)

著者名(英語): Kazuki Tani(Tokyo metropolitan university), Seiji Nakamura(Tokyo metropolitan university),

キーワード: 選択ウェットエッチング|硝酸水溶液|窒化ガリウム|窒化アルミニウムガリウム|MEMS|selective wet etching|aqueous solution of nitric acid|gallium nitride|aluminium indium nitride|MEMS

要約(日本語): AlInN/GaNエピタキシャル層のウェットエッチングを高温の硝酸溶液を用いて行った。5-7[mol/L]の硝酸溶液はAlInN層を選択的にエッチングすることができ、横方向のエッチング速度は0.26μm/hであることが確認された。

要約(英語): Wet etching of AlInN/GaN epitaxial layer been performed by using a hot nitric acid solution. The hot nitric acid solution of 5-7 [mol/L] proved to selectively etch the AlInN layers with the lateral etch rate of 0.26 μm/h.

PDFファイルサイズ: 364 Kバイト