スパッタSiON膜を用いたMEMS圧力センサの作製と特性評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 16P2-P-2

グループ名: 【E】第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2022/11/07

タイトル(英語): Fabrication and evaluation of MEMS pressure sensor used by sputtered SiON film

著者名: 細川 颯太(東京工業高等専門学校), 伊藤 浩(東京工業高等専門学校), 新國 広幸(東京工業高等専門学校)

著者名(英語): Sota Hosokawa(National Institute of Technology, Tokyo College), Hiroshi Ito(National Institute of Technology, Tokyo College), Hiroyuki Nikkuni(National Institute of Technology, Tokyo College),

キーワード: SiON膜|反応性スパッタリング法|ピエゾ抵抗型圧力センサ|TiN膜|応力緩和|SiON film|reactive sputtering|piezoresistive pressure sensor|TiN film|stress relaxation

要約(日本語): 本研究ではSiON膜を用いたMEMSプロセスを検証するために、ピエゾ抵抗型圧力センサの作製と評価を行った。また、Siの腐食防止のためダイヤフラム部にTiN保護膜を付加した場合の特性への影響を調べた。その結果、作製したピエゾ抵抗型圧力センサは圧力センサとして動作することが確認でき、SiON膜を用いたMEMSプロセスの有効性を示せた。また、TiN保護膜を付加した場合、センサ感度が向上することが分かり、応力緩和が関係していると考えた。

要約(英語): In this study, fabrication and evaluation of piezoresistive pressure sensors, and the effect of adding TiN film to the diaphragm on the characteristics was investigated. In this result, the effectiveness of the MEMS process using SiON films was demonstrated, and the sensor sensitivity was improved when TiN film was added.

PDFファイルサイズ: 499 Kバイト