スパッタ法によるSm添加PMN-PTのSi基板上へのエピタキシャル成長

カテゴリ: 部門大会

論文No: 16P2-P-3

グループ名: 【E】第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2022/11/07

タイトル(英語): Epitaxial growth of Sm-doped PMN-PT on Si substrate by sputter deposition

著者名: 福士 海伊(東北大学), 吉田 慎哉(芝浦工業大学), Qi Xuanmeng(東北大学), 田中 秀治(東北大学)

著者名(英語): Kai Fukushi(Tohoku University), Shinya Yoshida(Shibaura Institute of Technology), Xuanmeng Qi(Tohoku University), Shuji Tanaka(Tohoku University),

キーワード: Sm-PMN-PT|エピタキシャル成長|巨大圧電性|MEMS|スパッタ成膜|Sm-PMN-PT|Epitaxial growth|Giant piezoelectricity|MEMS|Sputter deposition

要約(日本語): 本研究では、スパッタターゲット中の鉛含有量を最適化することで、巨大な圧電性能を有するSm添加Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(Sm-PMN-PT)のスパッタ成膜によるエピタキシャル成長法を開発した。さらに、分離成膜法によって約2 μmまでの厚膜化に成功した。今回得られた薄膜の圧電定数 |e31,f|は約12 C/m2であった。今後の組成の最適化などにより性能向上が期待される。

要約(英語): In this study, we have developed an epitaxial growth method by sputter deposition of Sm-doped Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (Sm-PMN-PT) with a giant piezoelectricity by optimizing the lead content in the sputtering target. The piezoelectric constant |e31,f| was about 12 C/m2. Further improvement of the performance is expected by optimizing the composition.

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