前処理条件の適切化によるダイヤモンド基板とシリコン基板の接合強度向上

カテゴリ: 部門大会

論文No: 16P2-P-57

グループ名: 【E】第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2022/11/07

タイトル(英語): optimizing activation process for strong direct bonding between diamond and Si substrates

著者名: 大北 称(東京理科大学), 松前 貴司(産業技術総合研究所), 倉島 優一(産業技術総合研究所), 梅沢 仁(産業技術総合研究所), 早瀬 仁則(東京理科大学), 高木 秀樹(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Shou Ookita(Tokyo University of Science), Takashi Matsumae(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Yuuichi Kurashima(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Hitoshi Umezawa(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology), Masanori Hayase(Tokyo University of Science), Hideki Takagi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),

キーワード: ダイヤモンド|シリコン|直接接合|親水化接合|パワー半導体|diamond|silicon|direct bonding|hydrophilic bonding|power semiconductor

要約(日本語): ダイヤモンドは機械、熱、電気特性や生体適合性が高いため、次世代の生体センサーやパワー半導体、放熱基板などとしての活用が期待されている。高度なダイヤモンド基板を既存のデバイスと組み合わせるために、シリコンなどといった他材料との直接接合が盛んに研究されている。本発表では、ダイヤモンド基板とシリコン基板の前処理条件を適切化することによって接合強度を向上させた。

要約(英語): Diamond is expected to be a candidate material of new generation devices. Because it is difficult to manufacture diamond substrates, assembling diamond device layers on a Si support substrate is a possible solution. In this study, we optimized activation process for strong direct bonding between diamond and Si substrates.

PDFファイルサイズ: 350 Kバイト