AlGaN/GaN/Si基板を用いた湾曲片持ち梁構造の作製に適したエッチングマスクパターンの検討

カテゴリ: 部門大会

論文No: 16P2-P-9

グループ名: 【E】第39回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2022/11/07

タイトル(英語): Etching processes for AlGaN/GaN/Si-based MEMS fabrication by using improved photomask pattern

著者名: 玉村 誠也(東京都立大学), 松本 拓士(東京都立大学), 中村 成志(東京都立大学)

著者名(英語): seiya tamamura(Tokyo Metropolitan Univeisity), takusi matsumoto(Tokyo Metropolitan Univeisity), seiji nakamura(Tokyo Metropolitan Univeisity),

キーワード: 窒化ガリウム|触覚センサ|湾曲片持ち梁構造|MEMS|ウェットエッチング|gallium nitride|tactile sensor|curved cantilever structure|MEMS|wet etching

要約(日本語): AlGaN/GaN/SiのSIウェットエッチングによる湾曲片持ち梁構造の作製プロセスを検討した。改良型のフォトマスクパターンを用いることで、AlGaN/GaN湾曲片持ち梁の形成の歩留まり向上に成功した。

要約(英語): This paper reports the fabrication of AlGaN/GaN-based curved cantilever structure by using Si wet etching processes. We have demonstrated Si wet etching of Si layer under the AlGaN/GaN by using improved photomask pattern. It can be expected that the proposed fabrication prosess by using improved mask pattern can help to realize the AlGaN/GaN-based curved cantilever.

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