MOSFETのチャネル抵抗を用いたピエゾ抵抗型MEMS圧力センサ

カテゴリ: 部門大会

論文No: 6P5-PS-21

グループ名: 【E】第40回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2023/10/31

タイトル(英語): Piezoresistive MEMS Pressure Sensor Using MOSFET Channel Resistor

著者名: 前澤 龍平(東京電機大学), 小松 聡(東京電機大学)

キーワード: CMOS-MEMS|MEMS|圧力センサ|MOSFET|CMOSプロセス|CMOS-MEMS|MEMS|Pressure Sensor|MOSFET|CMOS Process

要約(日本語): MEMSデバイスの市場規模の拡大や様々な分野への応用に伴い需要が高まっているため、更なる小型化や高感度化が期待されている。本研究ではMOSFETを圧力検出素子として用いることで従来の圧力センサより小型かつ高感度なセンサを提案する。Rohm 0.18 μm CMOSプロセスを用いてセンサ部分をホイートストンブリッジとし、センサの出力電圧を増幅する計装アンプを組み合わせた圧力センサの設計を行った。

要約(英語): Demand for MEMS devices has been increasing in recent years, and further miniaturization and higher sensitivity are required. This work proposes a compact and highly sensitive sensor using MOSFET as a pressure sensing element. A pressure sensor consisting of a Wheatstone bridge circuit and an instrumentation amplifier was designed using a Rohm 0.18 μm CMOS process.

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