側面ドーピングによるMEMS共振子の温度補償法の開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 7A2-C-3

グループ名: 【E】第40回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2023/10/31

タイトル(英語): Development of temperature compensation method for MEMS resonator by doping from lateral side

著者名: 五味 凌介(東北大学), 山田 駿介(東北大学), 田中 秀治(東北大学)

キーワード: 温度補償共振子|ドーピング|タイミングデバイス|ハイアスペクト構造|機械変形の組み合わせ|Temperature compensated resonator|Doping|Timing devices|High-aspect structure|Combination of mechanical deformation

要約(日本語): この論文では、ハイアスペクト比の梁構造からなるMEMS共振子を側面からドーピングし、共振子の内部全体を高濃度にドーピングすることによる温度補償の手法、検証結果を記述する。また、共振子の周波数温度特性は結晶方位にも依存するため、結晶方位の異なる梁を組み合わせることにより、効果的な温度補償を可能とした。本研究によるMEMS共振子の温度補償はタイミングデバイスの性能向上に期待される。

要約(英語): This paper describes a strategy, simulation and experiment for the temperature compensation of MEMS resonator by laterally doping cantilever in high-aspect structure. We proposed doping from the side of the high-aspect structure to achieve uniform doping throughout the resonator. Since the frequency of the resonator also depends on the crystal orientation, combining different mechanical deformations allows effective temperature compensation. Temperature compensation in this study is expected to

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