シリコンウェハーの酸化手法による光伝導度特性

カテゴリ: 部門大会

論文No: 7A2-D-1

グループ名: 【E】第40回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2023/10/31

タイトル(英語): Photoconductivity characteristics of silicon wafers by oxidation methods

著者名: 森 陽香(熊本大学), 田中 希望(熊本大学), 中山 駿(熊本大学), 小林 一博(熊本大学), 橋新 剛(熊本大学), 松田 元秀(熊本大学)

キーワード: 陽極酸化|熱酸化|シリコンウェハー|電気伝導度|半導体|anodization|thermal oxidation|silicon wafer|electrical conductivity|semiconductor

要約(日本語): 陽極酸化法と熱酸化法により酸化膜を形成し、光信号を測定した。0.01 Ω/cmのウェハーを陽極酸化することで膜厚10 nmのSiO2薄膜を形成した。陽極酸化後600℃、75分熱酸化することで光信号が増加した。5～10Ω/cmのウェハーを800～1100℃で熱酸化すると光信号はさらに増加した。特に40 V、20分間の陽極酸化は、遅延時間依存性が見られ、電気伝導度のを算出するのに最も適した条件である。

要約(英語): A 10 nm SiO2 film on 0.01 Ω/cm wafers were formed by anodization. The photosignal was increased by thermal oxidation at 600 ℃ for 75 min via anodization. Thermal oxidation of 5~10 Ω/cm wafers at 800~1100 ℃ further increased photosignal. In particular, anodization at 40 V for 20 min is the most suitable condition for calculating the electrical conductivity.

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