高圧電定数を示すSm添加PMN-PT単結晶薄膜の スパッタ堆積と組成依存性の調査

カテゴリ: 部門大会

論文No: 7A3-B-1

グループ名: 【E】第40回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2023/10/31

タイトル(英語): Sputter Deposition of Sm-doped PMN-PT Monocrystalline Thin Film Exhibiting High Piezoelectric Coefficient and Investigation of Its Composition Dependence.

著者名: 福士 海伊(東北大学), 吉田 慎哉(芝浦工業大学), Qi Xuanmeng(東北大学), 田中 秀治(東北大学)

キーワード: Sm-PMN-PT|エピタキシャル成長|巨大圧電性|MEMS|スパッタ成膜|Sm-PMN-PT|Epitaxial growth|Giant piezoelectricity|MEMS|Sputter deposition

要約(日本語): Pb(Zr,Ti)O3を超える巨大圧電性を持つ圧電薄膜の創出を目指し,サマリウム添加Pb(Mg1/3,Nb2/3)O3-PbTiO3(Sm-PMN-PT)単結晶薄膜の圧電特性(|e31,f|)の組成依存性を調査した。その結果、スパッタターゲット中のPMN/PT比が50/50のとき、薄膜の|e31,f|は24 C/m2の大きな値を示した。本研究は、圧電MEMSアクチュエータの性能限界を打破する大きな一歩となると確信している。

要約(英語): We have investigated the composition dependence of piezoelectric properties (|e31,f|) of Sm-doped Pb(Mg1/3,Nb2/3)O3-PbTiO3 (Sm-PMN-PT) single-crystal thin films. Sm-PMN-PT films were sputter deposited on Si wafers and the PMN/PT ratio in the sputter target was adjusted. When the PMN/PT ratio in the target was 50/50, the thin film showed a large value of |e31,f| of 24C/m2.

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