金属アシスト化学エッチングを用いた単結晶シリコン垂直エッチング

カテゴリ: 部門大会

論文No: 7A3-C-2

グループ名: 【E】第40回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2023/10/31

タイトル(英語): Vertical Etching of single crystal silicon using Metal-Assisted Chemical Etching

著者名: 四谷 真一(セイコーエプソン), 藤井 正寛(セイコーエプソン), 北原 浩司(セイコーエプソン), 鎌倉 知之(セイコーエプソン)

キーワード: 金属アシスト化学エッチング|エッチング曲り|TSV|マイクロマシン|面方位依存性|MACE|etched bending|TSV|MEMS|crystal orientation

要約(日本語): 金属アシスト化学エッチング(MACE)で単結晶Si加工時に発生するエッチング曲がり改善について検証した。その結果、(100)Si基板では垂直エッチングが可能であるが、一方(110)ではエッチング方向が途中で曲がり、ずれが<110>方向に沿って発生する。結晶面方位に関わらず、安定して垂直にエッチングする条件として、エッチング液組成がMACEによる高精度3次元構造体実現に重要である事を示唆した。

要約(英語): We verified the improvement of etching bending that occurs during single-crystal Si processing with metal-assisted chemical etching (MACE). It was suggested that etchant composition is important for MACE processing as a condition for stable vertical etching regardless of crystal plane orientation.

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