シリコンマイグレーションシール(SMS)向け枚葉水素ランプアニール炉の開発:ベースプレッシャーと残留ガス

カテゴリ: 部門大会

論文No: 7A3-C-5

グループ名: 【E】第40回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2023/10/31

タイトル(英語): Development of a Single-Wafer Hydrogen Lamp Annealing Furnace for Silicon Migration Sealing (SMS): Base Pressure and Residual Gas

著者名: 根本 展聡(東北大学), 鈴木 裕輝夫(東北大学), 田中 秀治(東北大学)

キーワード: シリコンマイグレーション|ウェハレベル真空封止|水素アニール|枚葉水素ランプアニール炉|ベースプレッシャー|Silicon migration|wafer-level vacuum encapsulation|hydrogen annealing|single-wafer hydrogen lamp annealing furnace|base pressure

要約(日本語): SMSはMEMSプロセスにおける新しい高真空封止技術である。本論文では水素アニール処理前のチャンバー内の到達真空度(ベースプレッシャー)が原因と考えられるSMSにおける問題が生じたことを報告する。ベースプレッシャーを10??Pa まで下げることによって効果的に水蒸気や酸素を除去できることが確認された。SMS処理を行う場合には少なくとも10?3 Paまでベースプレッシャーを下げることが必要になると考えられる。

要約(英語): SMS is a new high-vacuum encapsulation process in MEMS. In this paper, I report on a problem that may be caused by the degree of vacuum attained in the chamber before annealing (base pressure). It is confirmed that water vapor and oxygen can be effectively removed by lowering the base pressure to the 10?? Pa range. It is considered necessary to reduce base pressure to at least the 10?3 Pa range when conducting SMS.

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