フレキシブルCMOSイメージセンサの実現に向けたFDSOI湾曲回路の試作と評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 7P2-PS-2

グループ名: 【E】第40回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2023/10/31

タイトル(英語): Fabrication and Evaluation of FDSOI Curved Integrated Circuits for Flexible CMOS Image Sensors

著者名: 後藤 正英(NHK放送技術研究所), 為村 成亨(NHK放送技術研究所), 佐藤 弘人(NHK放送技術研究所)

キーワード: CMOSイメージセンサ|フレキシブル|fully depleted silicon-on-insulator (FDSOI)|集積回路|転写|CMOS image sensor|flexible|fully depleted silicon-on-insulator (FDSOI)|integrated circuit|transfer

要約(日本語): 高精細などCMOSイメージセンサ本来の高い性能を有し、かつ自由に曲げることのできるイメージセンサの実現を目指して、フレキシブルCMOSイメージセンサの研究を進めている。今回、FDSOI基板上のCMOS回路と光電変換膜を柔軟なPET基板に転写する技術を開発し、デバイスを試作した結果、高い柔軟性や円筒面状に湾曲させた状態での回路動作を初めて確認し、柔軟なイメージセンサの実現に見通しを得た。

要約(英語): We report fabrication of flexible CMOS image sensors by using layer transfer process of FDSOI circuits and photoconversion film onto a plastic substrate. A 6-μm thick FDSOI device is successfully transferred to a PET substrate. Developed devices demonstrated mechanical flexibility and operation including n-type MOS transistors and 101-stage ring oscillators, showing their potential in flexible highly integrated devices.

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