静電気放電に対する耐性向上を目指したストライプゲート型ISFETセンサシステムの開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 7P2-PS-38

グループ名: 【E】第40回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2023/10/31

タイトル(英語): Development of Stripe-Gate Type ISFET Sensor System for Improved Tolerance to Electro-Static Discharge

著者名: 内藤 嘉晴(静岡大学), 秋山 真太朗(静岡大学), 横山 竣也(静岡大学), 大多 哲史(静岡大学), 二川 雅登(静岡大学)

キーワード: pHセンサ|化学物質センサ|ISFET|ESD|保護回路|pH sensor|chemical sensor|ISFET|ESD|Protection circuit

要約(日本語): Ion Sensitive Field Effect Transistor (ISFET)はゲート部分が計測対象の溶液などと直接接触する構造になっているためElectro-Static Discharge (ESD)に対する脆弱性を持っている。そのため、溶液に浸漬した時などにセンサの故障が起きていた。そこで本研究では、センサのESDに対する耐性を向上させる保護回路を提案する。

要約(英語): Output voltage fluctuations and failures due to electro-static discharge (ESD) are common problems of ion-sensitive field-effect transistor (ISFET) type pH sensors. To solve these problems our group developed protection system for strip-gate type ISFET. The system responsible for transferring ESD from the sensing area to the ground. As a result, the system improved tolerance to ESD.

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