Ga2O3/Seアバランシェフォトダイオードの時間応答性に関する研究

カテゴリ: 部門大会

論文No: 8P2-PS-17

グループ名: 【E】第40回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2023/10/31

タイトル(英語): Time responsiveness of Ga2O3/Se Avalanche Photodiodes

著者名: 信野 永光(立命館大学), 小林 大造(立命館大学)

キーワード: 酸化ガリウム|セレン|ヘテロ接合|フォトダイオード|応答時間|Ga2O3|Se|Hetero Junction|Photodiode|Response time

要約(日本語): 高感度可視光センサとしてセレン(Se)薄膜を用いたPDが期待されている。p型結晶Seとn型Ga2O3によるヘテロ接合PDは、逆バイアス電圧印加により光電流密度が劇的に増加する(アバランシェ効果)ことが報告されている。本研究ではGa2O3/Seヘテロ接合APDの入射光への応答時間の評価を行った。逆バイアス電圧を3～7 Vに変化させながら測定したところ、印加電圧の増大に伴い応答時間が102～200 μsの範囲で長くなることが分かった。

要約(英語): In this study, the time response of Ga2O3/Se heterojunction APDs to incident light was evaluated. The response time was measured while varying the applied reverse bias voltage from 3 to 7 V. It was found that the time response decreased in the range of 102 to 200 μs as the applied voltage increased.

PDFファイルサイズ: 446 Kバイト