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パルス光伝導法を用いたシリコンウェーハ表層(SiO2/Si)における電気伝導度の不純物濃度依存特性

パルス光伝導法を用いたシリコンウェーハ表層(SiO2/Si)における電気伝導度の不純物濃度依存特性

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 8P2-PS-23

グループ名: 【E】第40回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2023/10/31

タイトル(英語): Impurity Concentration Dependence of Electrical Conductivity in the Surface Layer of Silicon Wafer Using Pulsed Photoconduction Method

著者名: 田中 希望(熊本大学), 中山 駿(熊本大学), 森 陽香(熊本大学), 小林 一博(熊本大学), 橋新 剛(熊本大学), 松田 元秀(熊本大学)

キーワード: 半導体|陽極酸化|故意汚染|電気伝導度|PPCM|Semiconductor|Anodization|Intentional pollution|Electrical conductivity|PPCM

要約(日本語): 今回SiウェーハをPPCMで測定し電気伝導度と不純物濃度の関係を明らかにすることを試みた。また、Siウェーハの酸化膜生成に陽極酸化法を用いた。本実験では得られたΔVを基に電気伝導度を算出したが、熱処理前では9.488×10^-13/Ωm、熱処理後では8.277×10^-13/Ωmとなり、故意汚染前に熱酸化のみ行った試料のSiウェーハの電気伝導度は経験的に10^-10/Ωm程度なため妥当性は低いと判断した。

要約(英語): We attempted to clarify the relationship between electrical conductivity and impurity concentration by measuring silicon wafers with PPCM. As a method of oxide film generation on silicon wafers, an anodic oxidation method was used. In this experiment, the electrical conductivity was calculated based on the ΔV, but it was judged to be of low validity because it was far from the electrical conductivity of the Si wafer of the sample that was only thermally oxidized before intentional pollution.

PDFファイルサイズ: 1,161 Kバイト

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