多端子MOSFETによる回路動作の「その場」計測

カテゴリ: 部門大会

論文No: 8P2-PS-32

グループ名: 【E】第40回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2023/10/31

タイトル(英語): In Situ Measurement of Circuit Operation with Multi-Output MOSFET

著者名: 原田 知親(山形大学)

キーワード: 多端子MOSFET|その場計測|貫通電流|動作特性|等価モデル|Multi-Output MOSFET|in situ measurement|through current|operating characteristics|equivalent model

要約(日本語): 本研究では、以前からセンサ・回路素子として研究されている多端子MOSFETを応用し、0.18?CMOSプロセスにより作製された多端子MOSFETによる回路動作の「その場」計測を行なった。そして、この動作を解析モデルとHSPICEを用いて比較し評価をおこなった。その結果、確実に貫通電流をoutput端子が検出していることが明らかとなった。

要約(英語): This paper reports whether it can be used for in-situ measurement of the through current during circuit operation by making the best use of the proposed operating characteristics of multi-output MOSFETs. As a result, it is found that the output terminal reliably detects the through current.

PDFファイルサイズ: 1,788 Kバイト