商品情報にスキップ
1 1

DRIE終点非破壊検査のための側面接触式MEMSプローブ

DRIE終点非破壊検査のための側面接触式MEMSプローブ

通常価格 ¥440 JPY
通常価格 セール価格 ¥440 JPY
セール 売り切れ
税込

カテゴリ: 部門大会

論文No: 8P2-PS-6

グループ名: 【E】第40回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2023/10/31

タイトル(英語): Sidewall-contacting MEMS probe for non-destructive DRIE endpoint detection

著者名: 山形 昌弘(東京大学), 辻 啓吾(東京大学), 三角 啓(東京大学), 安永 竣(東京大学), 肥後 昭男(東京大学), 三田 吉郎(東京大学)

キーワード: MEMS|DRIE|非破壊検査|プローブ|半導体|MEMS|DRIE|non-destructive inspection|probe|semiconductor

要約(日本語): 本論文では、DRIE(Deep Reactive Ion Etching)プロセスの終点を非破壊に検出するためのMEMS(Micro Electromechanical Systems)プローブを設計・試作し、技術の有効性を評価した。プローブによる電気的測定は、測定対象を破壊してしまうという問題が有った。本アプローチでは、プローブをシリコンの上面ではなく側面に接触させることで、非破壊に検査する。

要約(英語): This paper addresses a non-destructive probing method for Deep Reactive Ion Etching (DRIE) process inspection. DRIE is a key process for fabricating 3D structures on silicon wafers. Electrical inspection methods are effective but difficult to realize as non-destructive methods. In this study, we propose a new method of electrical measurement by applying a Micro Electromechanical Systems (MEMS) probe to the side surface of silicon instead of the top surface. In addition, we design and fabricate a

PDFファイルサイズ: 690 Kバイト

販売タイプ
書籍サイズ
ページ数
詳細を表示する