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窒化チタンを堆積したCMOSイメージセンサのイオン計測特性の評価

窒化チタンを堆積したCMOSイメージセンサのイオン計測特性の評価

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 25A4-D-4

グループ名: 【E】第41回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2024/11/18

タイトル(英語): Evaluation of Ion Measurement Characteristics for CMOS Image Sensor deposited Titanium Nitride

著者名: チュウ ジ シュン(豊橋技術科学大学), 土井 英生(豊橋技術科学大学), 堀尾 智子(豊橋技術科学大学), 崔 容俊(豊橋技術科学大学), 高橋 一浩(豊橋技術科学大学), 野田 俊彦(豊橋技術科学大学), 澤田 和明(豊橋技術科学大学), ()

キーワード: バイオイメージング|窒化チタン|電位検出型アレイセンサ|pH応答|他種イオン応答

要約(日本語): 本研究では、窒化チタン(TiN)を堆積したCMOSイメージセンサのイオン計測特性を評価した。pH応答、ドリフト特性、他種イオンに対する選択性を測定した。結果、TiNセンサは理論感度に近い55±3 mV/pHを示し、Ta2O5センサとほぼ同等の性能を確認した。また、H+拡散のリアルタイムイメージングを実証し、TiNセンサの高い選択性が明らかになった。これにより、バイオメディカル応用において細胞外のイメージングが期待される。

PDFファイルサイズ: 894 Kバイト

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