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金属アシスト化学エッチングを用いた3次元単結晶シリコン加工の安定化

金属アシスト化学エッチングを用いた3次元単結晶シリコン加工の安定化

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 25P2-C-2

グループ名: 【E】第41回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2024/11/18

タイトル(英語): Stabilization of Three-Dimensional Single-Crystalline Silicon Processing using Metal-Assisted Chemical Etching

著者名: 湯浅 裕太(セイコーエプソン), 藤井 正寛(セイコーエプソン), 牛山 一博(セイコーエプソン), 四谷 真一(セイコーエプソン), 北原 浩司(セイコーエプソン), 鎌倉 知之(セイコーエプソン)

キーワード: 金属アシスト化学エッチング|再現性|量産|TSV|マイクロマシン

要約(日本語): 3次元シリコン(Si)微細構造を高精度かつ簡便に形成できるエッチング法として,金属アシスト化学エッチング技術(MACE)が注目されている。しかし、本手法は異常エッチングや再現性が低いことが課題であり,これまで量産技術適用の例が無い。本研究では,MACE加工の安定化に向け,反応速度論を基に仮説を立案し検証した。そして,MACE加工により高アスペクトTSVやMEMSデバイス等の3次元Si微細構造を量産化できる可能性を示唆した。

PDFファイルサイズ: 1,073 Kバイト

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