ニューロン計測用PMOSバッファアンプ搭載マイクロニードル電極デバイスとマウス脳計測評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 26A2-B-2

グループ名: 【E】第41回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2024/11/18

タイトル(英語): Fabrication and characterization of Microneedle electrode device equipped with PMOS buffer amplifier for neural recording in mice

著者名: 近藤 悠輝(豊橋技術科学大学)，八木 勇樹(豊橋技術科学大学), 松下 剛芽(豊橋技術科学大学), 山下 幸司(豊橋技術科学大学), 佐々木 陽向(豊橋技術科学大学), 飛沢 健(豊橋技術科学大学), 赤井 大輔(豊橋技術科学大学), 沼野 利佳(豊橋技術科学大学), 鯉田 孝和(豊橋技術科学大学), 河野 剛士(豊橋技術科学大学)

キーワード: 微小電極|ニューロン計測|低侵襲|バッファアンプ|1/fノイズ

要約(日本語): 脳神経科学や脳外科の分野では,低侵襲かつ高い信号対雑音比のニューロン計測技術が重要である。私たちは,直径5 μm以下のSiマイクロニードル電極技術を提案し,電極の高インピーダンスの課題をバッファアンプの実装技術で解決してきた。本研究では,過電圧保護回路を搭載したPMOSソースフォロワをバッファアンプとして実装したフレキシブル基板Siマイクロニードル電極デバイスを製作し,マウス大脳皮質を用いて評価した。

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