原子層堆積法により形成された酸化アルミ極薄膜の表面活性化常温ウエハ接合

カテゴリ: 部門大会

論文No: 26P3-PS-109

グループ名: 【E】第41回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2024/11/18

タイトル(英語): Surface activated wafer-level bonding of ALD Al2O3 ultrathin films

著者名: 宇野 賢治(九州大学), 高倉 亮(九州大学), 多喜川 良(九州大学)

キーワード: 原子層堆積法|常温接合|酸化アルミニウム|シリコンウェハ|

要約(日本語): 三次元集積化に向けて絶縁体の常温接合が求められている。今回の研究では熱酸化Siウェハ上に原子層堆積法(ALD)を用いてAl2O3極薄膜を成膜し表面活性化接合(SAB)を行った。IRカメラやブレード試験、透過電子顕微鏡(TEM)を用いることによって接合強度を評価した。これらの結果から、三次元集積化においてALD Al2O3極薄膜を用いた常温接合は効果的であるということが分かった。

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