カンチレバー構造へのa-InGaZnO TFTの形成と外部応力の影響評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: 26P3-PS-77

グループ名: 【E】第41回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2024/11/18

タイトル(英語): Fabrication of a-InGaZnO TFTs on a cantilever structure and evaluation of the effect of bending stress.

著者名: 岩松 新之輔(山形県工業技術センター), 峯田 貴(山形大学)

キーワード: アモルファスインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物|薄膜トランジスタ|カンチレバー|曲げ応力|酸素欠損

要約(日本語): アモルファスインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物薄膜トランジスタ（a-InGaZnO TFT）のMEMS、センサへの応用が注目されている。本研究では、カンチレバー構造上に形成したa-InGaZnO TFTに外部応力を与え、TFT伝達特性の応力依存性を評価した。その結果、応力の増加とともにドレイン電流が増加する傾向が見られた。ドレイン電流増加の要因としては、応力によりトップチャネルに酸素欠損が誘起された可能性が考えられる。

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