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台形の圧電バイモルフを用いた高電界センサ
台形の圧電バイモルフを用いた高電界センサ
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カテゴリ: 部門大会
論文No: 26P3-PS-89
グループ名: 【E】第41回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
発行日: 2024/11/18
タイトル(英語): High electric field sensor using trapezoidal piezoelectric bimorph
著者名: 山田 貴晴(東北大学), 加藤 忠(東北大学), 羽根 一博(東北大学), 小野 崇人(東北大学), 桑野 博喜(東北大学)
キーワード: 窒化アルミニウム|圧電薄膜|圧電バイモルフ|電界センサ|マイクロマシニング
要約(日本語): 我々は、窒化アルミ(AlN)圧電薄膜を用いた電界センサを考案した。本センサは、ステンレス膜の片持はりの両面にAlN 薄膜を配置した圧電バイモルフ構造である。外部から電界がかかると、逆圧電効果で圧電薄膜が伸び縮みし、センサがたわむ。たわみの変化から、外部電界の変化を検出する。センサとたわみ検出系の間は絶縁されている。従って、従来の電気的接続が必要なセンサと比較して、高い電界中でも計測が可能である。
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