ストライプゲート型ISFETを用いた帯電によるpHセンサ特性変動の回復手法開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 27A2-B-6

グループ名: 【E】第41回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2024/11/18

タイトル(英語): Development of ISFET based pH sensor with integrating stripe-gate inside membrane to control membrane charge

著者名: 横山 竣也(静岡大学), 内藤 嘉晴(静岡大学), 高橋 光翔(静岡大学), 大多 哲史(静岡大学), 二川 雅登(静岡大学)

キーワード: pHセンサ|化学物質センサ|ISFET|ドリフト抑制|トラップ電荷

要約(日本語): 半導体型pHセンサは、時間と共に出力が減少するドリフトと呼ばれる問題があった。我々のグループでストライプゲート型pHセンサを開発し長期連続計測を実現している。しかし、稀に計測開始前に特性変動が見られ、抑制可能であるはずのドリフトを引き起こす問題が発生した。この原因としてセンサの帯電が考えられたため、帯電発生による連続計測への影響解明を行い、センサの帯電特性変動の状態回復が可能であることを示した。

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