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シリコンナノワイヤ形成のための局所陽極酸化と活性層研磨の条件検討

シリコンナノワイヤ形成のための局所陽極酸化と活性層研磨の条件検討

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カテゴリ: 部門大会

論文No: 27P3-PS-24

グループ名: 【E】第41回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2024/11/18

タイトル(英語): Investigation of Conditions for Local Anodization and Active Layer Polishing for Silicon Nanowire Formation

著者名: 岩城 伸弥(立命館大学), 野田 和俊(立命館大学), 安藤 妙子(立命館大学)

キーワード: シリコンナノワイヤ|AFMリソグラフィ|局所陽極酸化|TMAHエッチング|活性層研磨

要約(日本語): 本研究ではAFMリソグラフィとTMAHエッチングを用いてシリコンナノワイヤを作製することが目的である。陽極酸化膜を利用したシリコンナノワイヤ作製のためのエッチング時間は15分が適切である。厚い陽極酸化膜を得るため走査速度を変更したが,いずれの走査速度でも形成した陽極酸化膜パターンは厚さ約1.1~1.3 nm,幅約350 nmであった。研磨で活性層を薄くした。研磨後表面粗さは悪化したが,研磨面上に陽極酸化膜が形成された。

PDFファイルサイズ: 614 Kバイト

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