白金を担持した酸化タングステン薄膜を用いた抵抗変化型水素センサデバイスの開発

カテゴリ: 部門大会

論文No: 27P3-PS-54

グループ名: 【E】第41回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日: 2024/11/18

タイトル(英語): Development of a chemiresistive hydrogen sensor device using a thin film of tungsten oxide supported by platinum

著者名: 箱嶋 紗希(横浜国立大学), 岡崎 慎司(横浜国立大学), 笠井 尚哉(横浜国立大学), 金田 遼平(横浜国立大学)

キーワード: 抵抗変化型水素センサ|白金担持酸化タングステン|常温動作|多点センシング|電気特性

要約(日本語): 水素は爆発・火災の危険性が高いことが懸念されており,多点センサシステムを構築することが望ましい。本研究では,常温下で動作する抵抗変化型水素センサデバイスの開発を目指し,白金くし形電極に白金触媒を担持した酸化タングステンを固定化したセンサデバイスを作製し,その基礎特性を調べた。その結果、水素濃度と薄膜の水素反応の間には明確な直線関係が確認でき、また膜厚が薄膜の電気特性に影響を及ぼすことが判明した。

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