Si-SOI基板の直接接合による縦型櫛歯電極構造の作製

カテゴリ：部門大会

論文No：10P2-C-4

グループ名：【E】第42回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日：2025/11/3

タイトル(英語)：Development of vertical comb electrodes by Si-SOI wafer bonding process

著者名：*堀井 慧（神戸大学） 本間 浩章（神戸大学）, 年吉 洋（東京大学）, 上杉 晃生（神戸大学）, 菅野 公二（神戸大学）, 磯野 吉正（神戸大学）

著者名(英語)：

キーワード：MEMS,櫛歯電極,基板接合,小型化,親水化処理,MEMS,comb electrode,wafer bonding,minituarization,Hydrophilic Treatment

要約(日本語)：本研究では、Si-SOI基板接合による縦型櫛歯電極構造の作製方法を確立した。Si基板にDRIE装置を用いて作製した櫛歯上部にSOI基板を接合し、その後、可動部に接合された櫛歯のみをリリースすることで縦型櫛歯構造を形成する。提案した作製方法により、1チップ上に並べた114本全ての櫛歯上部を接合でき縦型櫛歯電極の形成に成功した。これにより、櫛歯構造が使われる静電型MEMSデバイスの小型化が期待できる。

要約(英語)：This article describes a method for fabricating vertical comb electrodes by a silicon wafer bonding process. The silicon wafer was bonded onto combs made by DRIE, and only movable combs were released from the frame. As a result, we successfully formed all the vertical combs on the chip.

PDFファイルサイズ：991Kバイト