支持膜フリー転写によるひずみ印加グラフェン共振器の作製
支持膜フリー転写によるひずみ印加グラフェン共振器の作製
カテゴリ:部門大会
論文No:10P3-C-1
グループ名:【E】第42回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
発行日:2025/11/3
タイトル(英語):Fabrication of strain-induced garphene resonant mass sensor by support layer free transfer
著者名:*米村 陸弥(豊橋技術科学大学), 平野 純基(豊橋技術科学大学), クオア ファム(豊橋技術科学大学), 吉田 誉(豊橋技術科学大学), 坂井 佐知子(豊橋技術科学大学), 權 益賢(豊橋技術科学大学), 崔 容俊(豊橋技術科学大学), 野田 俊彦(豊橋技術科学大学), 澤田 和明(豊橋技術科学大学), 髙橋 一浩(豊橋技術科学大学)
著者名(英語):
キーワード:グラフェン転写,支持膜フリー,共振質量センサ,アミン機能化シリカナノ粒子,引張ひずみ,Graphene transfer,Support layer-free,Resonator,Amine-functionalized silica nanoparticles,Tensile strain
要約(日本語):グラフェンをデバイス応用したMEMS共振センサはウイルスの非標識検出ができる。しかし、PMMA等の支持膜を用いた従来の転写手法は、転写後に残留物がありセンサ性能に影響を及ぼす。そこで、転写後の残留物をなくすために支持膜フリー転写を提案する。本研究では、支持膜フリー転写によって残留物のないグラフェン共振センサを作製したことと従来センサよりも化学吸着した分子が増加し、周波数応答に線形性が得られたことを報告する。
要約(英語):Graphene-based MEMS resonators enable label-free virus detection. However, conventional PMMA-assisted transfer leaves residues that degrade sensor performance. To eliminate them, we propose a support layer free transfer. We report residue-free resonators fabricated by this method, showing enhanced molecular adsorption and linear frequency response compared with conventional sensors.
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