PZT単結晶薄膜のキュリー点上昇現象におけるSi弾性板厚の影響の調査

カテゴリ：部門大会

論文No：10P4-PS-1

グループ名：【E】第42回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日：2025/11/3

タイトル(英語)：Investigation of Influence of Si Elastic Plate Thickness on Curie Point Rise Phenomenon in PZT Single Crystal Thin Film

著者名：*那知 駿作（芝浦工業大学）, 勅使河原 明彦（芝浦工業大学）, 吉田 慎哉（芝浦工業大学）

著者名(英語)：

キーワード：MEMS,PZT,キュリー温度,強誘電体薄膜,薄膜の応力,MEMS,PZT,Curie Temperature,Ferroelectric thin film,Thin film stress

要約(日本語)：本研究ではMEMSプロセスを用いて、単結晶PZT自立膜および、さまざまな暑さのSi弾性板に拘束された円形ダイヤフラム構造を作製し、キュリー点の測定を行った。その結果Si基板厚が30µm程確保できればキュリー点の上昇現象が維持されることが確認された。また自立膜構造体ではバルク体のキュリー点と同程度の値を示したことからキュリー点の異常上昇現象はPZT単結晶薄膜それ自体の特性ではないことが確定した。

要約(英語)：It was confirmed that the abnormal rise in the Curie point persists in PZT single-crystal thin film as long as the Si substrate thickness is maintained at approximately 30 µm. Furthermore, the free-standing film structure showed values comparable to those of the bulk material.

PDFファイルサイズ：916Kバイト